Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Bombe à fission dopée — Une arme à fission dopée fait généralement référence à un type de arme nucléaire qui utilise une petite quantité de combustible destinée à fusionner, afin d en augmenter le taux de fission et donc la puissance. Les neutrons libérés par les… … Wikipédia en Français
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
Transistor à effet de champ — Circuit électronique avec transistor à effet de champ Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d utiliser un champ électrique pour… … Wikipédia en Français
high-concentration layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
highly-doped layer — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
hochdotierte Schicht — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
stipriai legiruotas sluoksnis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
сильнолегированный слой — stipriai legiruotas sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high concentration layer; highly doped layer vok. hochdotierte Schicht, f rus. сильнолегированный слой, m pranc. couche fortement dopée, f … Radioelektronikos terminų žodynas
COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
